第1607章 多重曝光(第2页)

 常浩南微微露出惊讶的表情，只是隔着面罩展现不出来。

 “还有外国订单？”

 “嗯，产品主要面向国内和中亚市场。”吴明翰解释道，“中低水平制程这块，我们流片的良率和速度都有优势。”

 常浩南突然意识到，如今半导体产业的情况，要远比自己过去那条时间线上复杂得多。

 介绍间，黄炜注意到常浩南的目光并未停留在运行中的量产设备上，而是投向了不远处一个被透明围挡隔开的区域。

 那里同样属于光罩制作区，但周围聚集的技术人员更多，氛围也更显紧张和专注。

 “常院士，那边是我们的研发攻坚区。”黄炜解释道，“您也看到了，生产和研发在光刻这个环节，很多时候是共用同一条线，设备和技术是互通的。”

 “那边就是在尝试双重甚至四重曝光技术，目标是用我们现有的nxt:1950iduv光刻机，向更小的特征尺寸发起冲击。”

 常浩南的目光转向吴明翰：“这就是之前您提到的，良品率最低、成本最高的环节？”

 吴明翰脸上浮现出复杂的神情。

 他没有直接回答，而是引着常浩南走向该区域旁边一个专门的陈列台。

 “常院士请这边看。”

 陈列台上并非闪闪发光的成品芯片，而是整齐摆放着数十片晶圆。

 乍看之下，它们与刚才看到的完成镀膜的晶圆似乎并无太大区别。

 常浩南转向对方，等待着更进一步的说明。

 吴明翰拿起靠近他的一片晶圆，指着上面几处微小的、肉眼几乎难以分辨的重影区域：“这就是‘套刻误差’导致的报废。在多重曝光中，第一次曝光形成的图案和第二次曝光需要精确对准。哪怕只有几纳米的偏差，迭加后整个电路就失效了。”

 他放下这片，又拿起另一片，指着表面某些线条粗细明显不均的地方：

 “这是‘关键尺寸偏差’，多次曝光、显影、刻蚀的累积效应，导致不同区域的线宽无法保持一致，超出了规格极限。”

 他再拿起第三片：“这是‘显影缺陷’……工艺窗口太窄，稍有不慎，图案就毁了……”

 “……”

 他如数家珍般介绍着每一类报废的原因，语气平静，却像在展示一场场微缩战役的遗迹。

 “这些，都算是我们交的学费……不过，在euv光刻机很可能无法获取的当下，这是我们唯一能看到的、通往更先进制程的技术途径。”

 话语里听不出太多抱怨，只有一种面对客观规律的无奈。

 常浩南的目光缓缓扫过这片触目惊心的“报废陈列区”，在这些承载着高昂代价和失败印记的晶圆上停留了几秒。